Основные схемы включения транзисторов
Транзистор, как полупроводниковый прибор, имеющий три электрода (эмиттер, базу, коллектор), можно включить тремя основными способами (рис.1 — 6). Как известно, входной сигнал поступает на усилитель по двум проводам; выходной сигнал отводится также по двум проводам. Следовательно, для трех-электродного усилительного прибора при подаче входного и съеме выходного сигнала по двум проводам один из электродов будет непременно общим. Соответственно тому, какой из электродов в схеме включения транзистора будет являться общим, различают три основные схемы включения: с общим эмиттером (ОЭ), общим коллектором (ОК) и общей базой (ОБ).
Схема с Общим Эмиттером (ОЭ)
Рис.1 Транзистор npn типа. Схема с общим эмиттером.
npn тип. Схема с общим эмиттером. | pnp тип. Схема с общим эмиттером. |
Практические варианты схем включения транзисторов структуры п-р-п и р-п-р приведены на рис. 1 — 6. Как следует из сопоставления рисунков, схемы эти идентичны и различаются лишь полярностью подаваемого напряжения.
Для определения входного \(Rin\) и выходного \(Rout\) сопротивлений каждой из схем включения, а также коэффициентов усиления по току \(K_{I}\), напряжению \(K_{U}\) и мощности \(K_{P}=K_{U}*K_{I}\) расчетные и экспериментальные значения и формулы приведены в таблицах 1 и 2.
Схема | \(R_{in}\) | \(K_{I}\) | \(K_{U}\) | \(K_{P}\) |
ОЭ | \(R_{b}+\frac{R_{e}}{1-\alpha }\) | \(-\frac{\alpha }{1-\alpha }\) | ||
ОК | \(R_{b}-\frac{R_{e}}{1-\alpha }\) | \(-\frac{1}{1+\alpha }\) | ||
ОБ | \(R_{e}+R_{b}\cdot (1+\alpha )\) | \(\alpha\) |